Tässä artikkelissa puhumme mahdollisesta vaihtoehdosta kaskadin "virran kytkemiseksi" bipolaariselle transistorille kytkemällä kaksi tai useampia samantyyppisiä transistoreita rinnakkain. Tämän sisällyttämisen tarkoituksena on lisätä portaan suurimman sallitun käyttövirran arvoa.
Transistoreiden yksinkertainen "rinnakkaistaminen" ei pääsääntöisesti tuota odotettua positiivista tulosta, koska transistorit jopa samantyyppisiä ja yhdestä erästä, niillä on kuitenkin tietty parametrien leviäminen tuotannon rajoissa toleranssit.
Tämän seurauksena käytännössä ei ole mahdollista saavuttaa tasaista virtojen jakautumista kunkin transistorin välillä. Lisäksi tämä ero kasvaa kasvattaessa virtaa transistorien ja niiden lämmityksen läpi. Loppujen lopuksi suurin osa kuormavirrasta virtaa jonkin transistorin läpi, mikä aiheuttaa sen vian tai koko vaiheen virheellisen toiminnan kokonaisuutena.
Kuvassa 1 on esitetty kahden (tai useamman) transistorin kytkemisen muunnos, jonka avulla voit välttää tällaisen ristiriidan.
Parasta terminen stabilointi molemmat transistorit tulisi asentaa samaan jäähdytyslevyyn. Toimintavirtojen tasaus suoritetaan sisällyttämällä vastukset emitteripiireihin, joiden vastus on Valitaan jokaisen jännitehäviön laskennasta 0,7... 1 voltin alueella käyttövirran maksimiarvon sisällä ryöpytä.
Teho nämä vastukset riippuvat myös niiden läpi virtaavan virran määrästä. Esimerkiksi äänitaajuustehovahvistimissa tällaisten vastusten vastusarvot ovat alueella 0,1... 0,8 Ohm.
Lisäksi suurin kollektorivirta (yhteensä) kaksi transistoria ei sallita kahta, vaan vain puolitoista kertaa enemmän kuin yhdelle transistorille. Kaavio esittää esimerkin p-n-p-rakenteen transistoreiden kytkemisestä päälle, tietysti samalla tavalla kuin käänteisen rakenteen transistorit. Tällaisen kaavion mukaisen vaiheen vahvistus vastaa samaa arvoa kuin yhdellä transistorilla, koska kantavirrat jakautuvat tasaisesti.
Voit lisätä kaskadin tehokkuutta kytkemällä transistorit päälle kuvassa 2 esitetyn piirin mukaisesti. Tällainen piiri on samanlainen kuin komposiittitransistori ja sisältää vastuksen, joka on valittava kokeellisesti jokaiselle käytetylle transistorityypille.
Kun valitset tämän vastus on välttämätöntä saavuttaa yhtä suuret kollektorivirta-arvot koko vaiheen vahvistuksen suurimmalla mahdollisella arvolla. Yleensä tämä saavutetaan resistanssilla R, joka vaihtelee kymmenesosista ohmin yksikköihin (erityyppisille transistoreille).
Suurennus saada saavutetaan tässä johtuen siitä, että ensimmäinen ja sitten toinen transistori vahvistavat peräkkäin signaalia.
Samaa järjestelmää voidaan soveltaa myös silloin, kun käytetään eri johtokykyisiä transistoreita.
Jos sinulla on jotain lisättävää artikkelin aiheesta, kirjoita ajatuksesi alla oleviin kommentteihin. Älä myöskään unohda tukea kirjoittajaa tilaamalla kanavan ja pitämällä siitä.